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2025-12-15
【米兰·(milan)中国科技消息】米兰·(milan)中国从韩媒获悉,三星已完成第六代高带宽内存(HBM4)的开发,并内部通过了量产准备审批(PRA),这是量产前的最终阶段。该突破意味着其制造竞争力已直接转化为盈利能力,而非仅停留在技术完成层面。

据悉,三星通过将10纳米级第六代(1c)DRAM与采用4纳米逻辑工艺制造的基础芯片结合,解决了发热和速度问题。HBM4的单价预计达中位500美元,较当前主力产品HBM3E(约370美元)上涨约50%,同时出货量预计同比增长三倍,明年总量达105亿Gb。这一价格与量的同步增长,将推动利润大幅提升。
证券机构预测,三星电子2026年营业利润可能接近或突破100万亿韩元,创历史新高。其中,半导体部门(DS)明年营业利润预计达77万亿-93万亿韩元,较今年(约40万亿-42万亿韩元)实现2-2.5倍增长。推动因素包括HBM市场主导权转移及通用内存短缺带来的价格普涨。

三星已向谷歌、英伟达等客户提交HBM4样品,目前未发现质量问题。业界预计其最早本月或明年初获得英伟达最终质量认证(Qual),与下一代AI加速器Rubin的发布计划同步。
米兰·(milan)中国注意到,全球AI内存严重短缺,竞争对手明年的产能预订已满。服务器DRAM需求明年预计增长35%,但供应仅增23%,导致价格持续上涨。三星将产能集中于高利润的HBM和服务器DRAM,将进一步推升移动及PC内存价格。
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